DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 마치고 고객사에 PDK를 제공한다. 2027년 2분기 서비스 확대와 양산체제 구축을 목표로 한다.
DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200볼트(V) 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료하고 2027년 양산을 추진한다.
DB하이텍은 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축하고, 설계부터 제조·전기적 특성 평가·신뢰성 검증까지 지원하는 서비스를 제공한다고 9일 밝혔다. 회사 측은 해당 일괄공정 구축이 세계 최초라고 설명했다.
SiC는 기존 실리콘보다 고온·고전압 환경에서 전력 손실이 적고 안정적으로 작동해 전기차, 신재생에너지 설비, 산업용 전력기기 등에 활용되는 차세대 전력반도체 소재다. 현재는 6인치 웨이퍼가 주로 사용되지만, 생산 효율과 원가 경쟁력을 높이기 위한 8인치 공정 전환이 진행되고 있다.
DB하이텍은 고객사의 제품 개발을 지원하기 위해 자체 개발한 1·2세대 1200V SiC MOSFET 공정설계키트(PDK)를 제공하고 있다. PDK에는 반도체 설계에 필요한 공정 규칙과 소자 특성, 설계·검증용 데이터 등이 담긴다.
고객사는 PDK를 활용해 DB하이텍 공정에 맞는 제품을 설계하고 시제품 제작을 앞당길 수 있다. DB하이텍은 초기 개발 부담을 낮춰 제품 개발 기간을 1년 이상 줄일 수 있을 것으로 보고 있다.
현재 제공되는 2세대 공정은 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.5mΩ·㎠ 이하, 문턱전압 3V 이상의 전기적 특성을 구현했다. 고전압 환경에서 소자가 안정적으로 작동하는지 확인하는 신뢰성 검증도 마쳤다.
DB하이텍은 오는 11월 성능을 높인 3세대 PDK를 공개할 예정이다. 3세대 공정은 같은 게이트 전압 조건에서 비저항을 2.3mΩ·㎠ 이하로 낮추는 것을 목표로 한다. 단락 발생 시 소자가 손상 없이 견디는 시간인 단락내량(SCWT)은 2.5마이크로초(㎲) 이상을 목표로 검증하고 있다.
회사는 올해 3분기 중 기존 협력 고객사를 대상으로 공정을 우선 제공하고, 2027년 2분기부터 모든 고객사로 서비스를 확대할 계획이다. 같은 해 8인치 SiC 제품의 본격적인 양산체제 구축도 추진한다.
DB하이텍 관계자는 “이번 검증으로 8인치 SiC 파운드리 서비스에 필요한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다”며 “2027년 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 경쟁력을 확대하겠다”고 말했다.